氧化物界面如何产生氧空位

　　在金属氧化物或其他含氧化合物中，晶格中氧原子(氧离子)的分离导致氧的损失和空位的形成。简单地说，它指的是氧离子从晶格中逸出所留下的缺陷。氧空位是半导体材料尤其是金属氧化物半导体中最常见的缺陷，对半导体材料的性能有着重要的影响。

　　根据空间位置的不同，氧空位可分为表面氧空位和本体相氧空位。如果根据氧空位对光催化性能影响的不同进行更详细的分类，可将体相氧空位分为次表面氧空位和体相氧空位。如果按照光束缚电子的数量分类，可分为束缚双电子氧空位、束缚单电子氧空位和非束缚电子氧空位。